场效应管（Field-Effect Transistor，FET）又称为受控晶体管，是一种半导体器件，它能够实现电路的开关控制和信号放大。它的工作原理主要是利用电场对不导电的衬底的缝隙位置上的电荷进行调制，以改变漏极电流。
场效应管的主要特征是其工作原理在其三极结构中，由于缝隙位置内最外层的衬底电荷的不均匀分布，形成了电场，而这个电场又能够穿透控制电极，影响缝隙电荷理论，从而控制漏极电流的大小。因此在此基础上，利用正型和反型场效应管，分别作为开关和放大，实现电路的控制工作。
此外，由于场效应管的结构简单，使得在电源电压，失态电压，漏极电流等指标上，相对于普通晶体管，有着可观的增加。
总 而言之，在FET技术的支持下，受控晶体管成为了一种理想的可控器件，对于现代电子技术发展至关重要，可为电子设备提供可持续环境友好的能效效应。
