场效应管（MOSFET）是一种常见的半导体器件，能够实现控制电子信号的开关效果，多用于大功率电路，因此也被称为大功率MOSFET。
场效应管的工作原理可以归结为三个参数：漏极电压（VGS）、漏极最大电流（ID）和发射极源电压（VDS）。当漏极的VDS小于VGS或等于VGS，称为开断状态，此时漏极处于高阻态，ID被抑制，称为库仑效应；而当VGS大于VDS时，称为导通状态，此时有较大的ID流通，称为场效应。
除了VGS和VDS的影响外，当VGS偏离FD的值时，场效应管仍有有效的功能。包括多级栅极技术，以及场效应管栅极的补偿技术，可以调节VGS的偏离度，从而调节场效应管的功能特性。
所以，场效应管的工作原理是：通过调节VGS，实现ID和VDS的控制，实现漏极的开关控制，进而改变场效应管的效果。
