场效应管（Field Effect Transistors，FETs）因其极低的发射/阻抗比，相对于晶体管，处理速度快以及巨大的增益，逐渐成为集成电路（IC）设计师们的首选元器件。而在高密度工艺（HD）中，由于场效应管的复杂功能，使的电容量增大，热量沉积也增高，因此就需要进行有效的散热处理来除湿。
场效应管散热技术是一种新型的散热方式，可以实现对TFT器件的有效散热，它使单个场效应管的板面及外部处于高温，而不影响其他场效应管的工作。此外，由于它可以在安装时将一组场效应管直接安装在一起，因此还可以大大缩小IC的体积，，更有效地利用空间资源，从而在有限的空间内实现大规模的高性能IC集成。
场效应管散热技术应用的较为广泛，在传感器、微处理器、模拟控制电路、模块化控制电路等技术领域有重要的作用。总之，场效应管散热技术可以有效消除FET元器件的散热问题，大大提高IC的整体性能，并且可以使因空间有限而无法实现大规模集成的电路得以实现。
