场效应管寄生二极管（Field-Effect Transistor parasitic Bipolar transistor，简称FETPB）是一种新型的双极型可控管技术，它使用一个场效应管及一对共浅极结构来控制场效应管的漏极和导通状态，以实现对寄生二极管的控制效果。FETPB的输出可以动态发挥其最大射频响应性能，因此，它在射频应用中具有广泛的应用前景。
FETPB技术的核心原理是利用场效应管对发射极电压的控制，来控制寄生二极管开关的开合情况。当场效应管的控制端（发射极）的电压大于寄生二极管的基础电压，空间隙就会导致二极管失效，从而导致输出端断开；反之，当场效应管的控制端电压小于寄生二极管基础电压时，输出端就会连接，这样就实现了对寄生二极管的控制。
由于FETPB具有切换速度快、功耗低、结构简单等特点，它广泛应用于调幅、频率电路中。比如用FETPB技术可以实现调频功能，常见的应用于电台、电视机、声卡等设备中，它将能够有效提升信号的质量与传导效率。此外，FETPB的射频功能也被用于高频无线电设备，比如无线数据传输、路由器、高速LAN等。
总之，场效应管寄生二极管技术具有多种优点，在工程应用中广受欢迎，也为射频技术提供了切实有效的支持。
