场效应管（FET）寄生二极管技术是现代半导体元器件的著名技术，它拥有极低的漏电流、低功耗和卓越的噪音特性。该技术还可用于各种微波电路，如：滤波器、功率放大器、增益均衡器、瞬态保护器等。由于FET寄生二极管技术的不断发展，能够将工作频率扩大至数百兆赫以上，到目前为止，已成功把本来只能在VHF频段工作的频率发展到数十兆赫。
FET寄生二极管技术的发展并不是简单地采用减小包括门槽区的器件参数尺寸来达到。它需要采用更加先进的材料，特别是在激光刻蚀技术的帮助下，依靠严格控制对器件的设计参数，以及良好的过程控制，以达到最佳工作频率和性能的要求。
对于FET寄生二极管技术的应用，技术人员的研究分析也是不可或缺的。他们研究出了许多新的形式，如相移结构、金属-绝缘-金属结构等，以提高寄生二极管的特性，同时也包括许多先进的处理方法，如放电法、加热法等，以获得更好的工作效果。
在当今的半导体应用领域，FET寄生二极管技术能够精确地控制高速的信号，拥有更小的发射噪声、更低的耗散功率和更大的电流传输率，其实用性极好。因此，由于FET寄生二极管技术的发展，今后似乎在高频电器领域还会发挥更大的作用，将提高设计性能。
