MOS高压场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET）是一种晶体管，可以用于在较大的电流范围中实现大范围的电压控制，具有高压、大电流和宽频带宽等优势。
这种晶体管由三部分组成：一个基板、一个金属氧化物（如氧化锆）和一个半导体（一般是硅）。它们之间形成了一个闭路，它的开关功能使用场效应来控制。它的基本原理是，当电场施加在金属氧化物膜的表面时，会产生一个局部准确的范围；当通过该范围时，基底通过改变钝化反应通道就可以控制电路的通断。
MOSFET在很多领域都有着广泛的应用，例如电力电子制造中，它的典型应用主要有两类：中压大电流控制，以及大压小电流控制。
在中压大电流控制方面，MOSFET可以使电流在0V和高位置之间非常快速的调整，如开关电源，自动控制等，在节能减排的理念下，这在工业和商业开发领域很有用。
此外，MOSFET也可以用于大压小电流控制，如电容器补偿或谐振等。它可以提供电子电路可靠性要求高的场效应分离，避免在电容器调节或谐振等情况下出现失反应。
MOSFET高压场效应管在很多领域带来了很多优势，尤其是在中压大电流和大压小电流控制方面，它是个非常出色的晶体管，可以满足不同设计的多样需求。
