MOS场效应管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）是电子技术的基础理论，它具有低电容要求，开关速度快，损耗低等诸多优点，在电子产品中享有很高的地位。根据MOSFET的特性，可以分为低压MOSFET和高压MOSFET，中压大电流MOSFET（High Current Middle Voltage MOSFET）便是两者的兼容发展。
中压大电流MOSFET它在高压MOSFET和低压MOSFET之间，采用中压工作，该器件的优势在于共源极和拉栅极电压结构中保持低导通电压。另外，它具有低约束损耗，从而使低内阻和高可靠性得以实现，在高端功率驱动设计中非常容易使用。它在各种电子设备尤其是工业领域和移动通信领域具有重要的应用。
中压大电流MOSFET最大功率的损耗要比标准MOSFET小，这一般在30%以上，无论是否因平台限制而减少了VDD的量。另外，它还具有良好的功率性能，可实现极低的栅极侧开路电压，具有良好的热回流特性和可靠性，使其用于开关电源应用，驱动器应用等场合。特别是当它的工作电压较低时，损耗会大大减少，更容易安全运作。
总的来说，中压大电流MOSFET的性能优于标准MOSFET，它具有高可靠性、机械稳定性、低电阻以及低电流消耗等优点，因此，它被越来越广泛应用于我们日常生活中的各种电子产品。
