作为电子工程师来说，他们一般会在比较场效应管(FET，Field-effect Transistor)和晶体管（BJT，Bipolar junction transistor）的时候纠结不已。两者的性能都具有优势，但各自有不同的情况下可能更可取。
首先，场效应管有很多优点，其中一个重要优点就是它有很高的集成度，它可以在电路上实现较少的空间尺寸。这对于小型电路来说，是十分重要的。另外，FET可以实现无极性控制和节省热量，所以它更容易控制。
至于晶体管，它的优点是可靠性更强，特别是在高电压条件下。该低共模抑制效果更强，能够防止漏电，电流也比FET更容易传递。另一个优点是它用低电压也可以实现良好的性能，使用电平控制时也特别容易，代价也较低。
在最终选择上，这两种晶体管器件有很多因素需要考虑，包括操作条件、驱动电路、可靠性、可用性等等，需要根据应用场景来考虑。从最终看到来，FET更偏向于小型电路，而晶体管更偏向于大型电路。对于那些关心可靠性的用户来说，晶体管的可靠性要高于FET。
