在电子电路系统中，场效应管(Field Effect Transistor，缩写为FET)和晶体管(Bipolar Junction Transistor，缩写为BJT)是最重要的两种器件。尽管它们都是三极管，但其工作原理和用途大不相同。
FET的结构与BJT很相似：都有三个电极，其中两个为输入极，称为源极(S)和漏极(D)，第三个为输出极，称为栅极(G)。然而FET的工作原理却与BJT不同，因为它不需要额外的加热源。它的操作依赖于控制电容的一个电场效应，因此称为场效应管。并且FET可以实现隔离，而BJT没有这个功能。FET常用于高频、低功耗应用，而BJT常用于中频、中功耗应用。
此外，FET有良好的静态性能，能够使用非常低的电压，而BJT只能够使用较高的电压。在高增益应用中，FET也具有优势，但BJT在运放电路中更加受欢迎。
综上所述，FET和BJT在结构和原理上都有很大的不同，但是都是电子电路中最重要的两种器件。另外，FET的静态特性更好、在高频和低功耗应用中表现更好，而BJT则在高增益应用和运放电路中更受欢迎。
