场效应管饱和是指在半导体器件中，当场效应管的漏电流大于一定的阈值时，其漏电流转换为正电流，这就产生了漏电流饱和的现象。这是一种典型的非线性特性，是电子器件模拟运算的关键现象之一。
在半导体器件中，场效应管饱和的现象与元件输入电平、网压等有关。简言之，当网压足够大，电流足够大，输入介质的失调导致元件饱和，由此可以看出，场效应管饱和至关重要。
此外，场效应管饱和不仅可能发生在场效应管，而且也可能发生在其它的模拟开关装置中。由于饱和，可以极大地提高电路系统的稳定性，从而缩减电路的早期释放，以及提高设计到，使电路在仿真实际应用环境中大幅提高功效。
总之，场效应管饱和是半导体器件模拟运算的重要现象，具有非常重要的意义。它可以确保电路系统的运算精度，可以缩短电路寿命，可以提高电路的稳定性，有效地改善电路的工作效率。
