场效应管（Field Effect Transistor，FET）可被称为是目前电子电路中最重要的器件之一，具有高速度、低功耗、低噪声和低义务延迟等优点。然而，它的技术也有许多局限性，其中最重要的就是存在着它的管饱和问题。
管饱和是指场效应管的元件参数会随着电压（VDS）的升高而饱和，即当VDS达到一定数值时，电流（IDS）就不会随着VDS的进一步增加而增加，也就是说IDS与VDS之间出现封顶，此时管子被“饱和”而失去其特征参数。由此可见，当FET的输出电流不能得到有效控制时，它的性能就无法获得最优。
现在，FET的技术以及处理这种管饱和问题的办法已经相当成熟，因此不再需要专门研究管饱和的解决方法，也没有必要把它们当做电路设计中的一个应对措施，被称作过时技术。因此，在快速发展的电子技术领域，管饱和现在已经算是古旧的技术了，显然没有太多的研究价值。
总之，场效应管的管饱和已经不是电子领域研究的热点，但在日常生活中，它仍然可以被用来提供高效的电路性能。因此，它不仅仅是一种过时的技术，还是一种可供研究的重要领域，帮助我们开发出更好的器件和电路解决方案。
