场效应管（Field Effect Transistor，FET）饱和是指场效应管以最低信号电压控制的动态压控，当信号电压超过一个特定的阈值，就会出现饱和效应。总的来说，场效应管的工作原理主要是通过利用外界控制来改变其内部的结构，以实现控制信号电流的传输。
在定义中，场效应管的饱和是指其内部表示的信号在到达某一特定关键阈值时，不再有变化。在经典示波器及其他仪器中，FET饱和是常常被观察到的一种现象。它在控制系统中也是最常见的一种性能，这对确保诸如开关和电路的有效运行起到了重要作用。此外，它也可以被发现在医疗设备、装置和机器逻辑控制系统等应用领域中。
而从实际研究角度来看，FET饱和有一些经典机制，包括动态饱和、动态范围、瞬态抑制和截止电阻。动态饱和时，随着信号电压的升高，回路会向全饱和幅度发展，从而出现负斜率。而动态范围的现象则会在增幅器两个最大端口处发生，呈现出它的最大电流沿。其中，瞬态抑制则是指，当信号电压达到特定的动态范围时，动态电流的流动会有一个明显的下降，从而导致信号变小。最后，截止电阻是指当电压达到一个有效阈值时，内部电路会出现节流效应，从而形成封闭的结构。
从整体来看，FET饱和是涉及许多应用领域的一个比较重要的机理，因为水平和垂直范围的调节、机械控制以及振荡器等应用中都要求在一定信号电压时它拥有良好的特征。因此，FET饱和的研究为设计高品质的电路以及相应的应用领域提供了深入的认识，为设备制造商以及设备使用者提供了进一步的参考。
