场效应晶体管（ Field-Effect Transistor，简称FET），是场效应放大器的元件，是当今电子器件的基石之一。它设计用于利用感应外界电场的能力控制信号放大大小和准确度，从而实现当前放大器的功能。它的工作原理很简单，它可以把一个低电压的输入放大成一个更高的电压输出。场效晶体管通常由一个晶体管头和两个负极构成，并运用电压场的效应来控制电流在晶体管头上的流动。如果外界电压发生变化时，负极的压力也会随着电压变化而变化，从而改变晶体管的导通状态，最终实现控制输出的功能。如果将一个外部加馀的电场应用到一个晶体管的源极、漏极和栅极之间，电流头（source head）也会受到该电场的控制，可以改变其在晶体管中的导通状态，这就是场效晶体管的基本工作原理。
场效应晶体管相比于其他晶体管具有较大的特点。它具有低压差、高效率、低送出增益、无上噪声及谐波、功耗小等优点，击中了电子元器件最终要达到的要求，可以应用于锂离子的动力电池领域，在各种实际应用中都发挥着至关重要的作用，以满足对于高性能、低功耗的要求。
总之，场效晶体管是一种重要的电子元件，其原理也比较容易理解。它依靠外部电场的效应，控制晶体管头的传导性，可以实现控制输出的功能，是各种电子仪器必备的一种基础元件。
