场效应晶体管（简称FET）是一种三端口晶体管，它的英文全称是Field Effect Transistor。FET是一种非线性半导体器件，具有集电极和发射极，通过改变表面电场来控制发射极电流的性能。FET具有良好的高频和低功耗特性，在数字信号处理，运算放大，功率扩大和模拟信号处理等方面经常被使用。
FET由指控机构（Gate），源机构（Source），汲取机构（Drain）三部件组成，电流可以从源机构进入汲取机构。此外，一些FET还具有隔离机构功能，类似于中性端在电路中的作用。FET不需要也不像普通晶体管那样要求供电，而是使用控制机构的电场来控制发射极的电流流动。
FET有不同的类型，如双极型FET、偏压晶体管（JFET）、金氧半场效应晶体管（MOSFET）等。这些类型的FET具有各自的特点，如JFET具有恒压特性，而MOSFET具有恒流特性。FET还有优异的耐压能力，可用于大功率放大的场合，广泛应用于通信、电力控制、数据采集、家用电器及电子产品等系统中。
总之，场效应晶体管是一种三端口晶体管，主要是通过改变表面电场来控制发射极电流的性能，有不同的类型，并且具有优异的耐压能力。FET在很多系统中都有很大的应用，用处非常广泛。
