场效应管输入阻抗（Field-Effect Transistor，FET）是一种电势型晶体管，由一个可控橡胶形式的门电极，两个源电极，和一个漏电极组成，它的特点是具有较高的输入阻抗。FET有两种，即增强型场效应管（Enhancement-mode Field-Effect Transistor，MOSFET）和欠偏型场效应管（Depletion-mode Field-Effect Transistor，JFET），它们都可以在不影响电路基态的前提下改变它们的导通性。
MOSFET的输入阻抗取决于它的欧姆阻（ωm）和扩散电阻（RD），而它的输入电流在一定范围内趋于稳定。而JFET的输入阻抗取决于它的晶体管阻抗（Rj），放大系数（μ）和扩散电阻（RD）。
MOSFET的输入阻抗相较JFET要大，而且它的输入电流范围更宽。一般来说MOSFET的输入阻抗在107~109欧姆，而JFET的输入阻抗仅为102-104欧姆。MOSFET的输入电流范围为10-3-10-12A，而JFET的输入电流范围仅为10-6-10-9A。由于MOSFET具有较高的输入阻抗和较宽的输入电流范围，因此它们被广泛用于各种电路的设计中，尤其是在可编程和微处理器电路设计中。
因此，讲到场效应管输入阻抗时，MOSFET 和JFET 都是重要的晶体管类型，但是由于MOSFET具有更高的输入阻抗和更宽的输入电流范围，因此它们比JFET更受欢迎。
