场效应管（field-effect transistor, FET）是一种半导体器件，主要由源极、漏极和控制极三个引线组成，具有小尺寸、快速响应、低电压控制、低集电极电流、高反相抑制能力等特性，是当前最常用的控制元件之一。FET可分为堆叠式和漏极射流型，绝大多数器件采用堆叠式构型，而漏极射流型的FET则用与特定的工艺条件、机械和物理要求，一般多用于模拟电路等操作，作为控制元件在电路中具有很好的性能。
在电路构成中，FET是一种控制型器件，它的工作原理是通过在控制极上投入一定电压，使控制极上的电流增加，而这些电流又可控制源极以及漏极之间的电子流，从而控制元件的通断电流，从而可以控制电路中各个部分的功率，影响电路的工作特性。FET的反相特性更是突出，将不影响拥有高度反相抑制能力，使得电路中一些不容易控制的噪音更容易抑制，极大地提高了电路的可靠性。FET的灵活性也很强，它可以产生金属氧化物场效应管（MOSFET），双极性场效应管（JFET），金属氧化物场效应管 （MOSFET）等，可以满足不同场合、不同环境的穿插特性要求。
综上，可以得出结论：场效应管属于控制型器件，是当前普遍应用的控制元件之一，具有较好的反相抑制能力、灵活性强等特点，可以根据不同的工艺、环境要求来实现更好的控制操作。
