2N5485场效应管是一款用于功率放大器应用的硅NPN半导体，可以满足频率高达250MHz的要求，使设计者有更多选择来满足不同应用的要求。
2N5485场效应管的基本参数包括最大功率输出（Pout），最大耗散功率（Pd），最小关断电流（Ices），最大增益（Gps），关断漏电流（Iecs），增益带宽产（Ft），输出阻抗（zo），最大输入阻抗（ri），共模抑制（Mr）等。
其最大功率输出Pout为15W，最大耗散功率Pd为3.0对2N5485，最小关断电流Ices为1.5mA，最大增益Gps为55，关断漏电流Iecs为50uA，增益带宽产Ft为160MHz，输出阻抗Zo为50Ω，最大输入阻抗Ri为10K，共模抑制Mr为7dB。
从上述参数可以看出，2N5485场效应管有着优良的特性：高增益，低功耗，稳定可靠，等等，由于它的这些特性，2N5485适合于无线通信，移动通信，数字电视，电池供电等许多不同的应用场景，使设计者可以根据实际的应用要求实现各种不同的设计。
总之，2N5485场效应管由于其极高的增益，低耗散功率，超高的增益带宽等参数特征，在设计中占有重要地位，正在被广泛应用于各种应用场景。
