场效应管（Field effect transistor，简称FET）是一种利用电场效应控制电路中的电荷载流子元件，加上他的发热是可以实现很多芯片设计的重要节点。
在晶体管在元件的特性中，表明它的电场效应特性，由于所有的介质的特性影响，在这个介质中，将会存在一定的距离来控制它的发热。它能够按照电场的强度来控制发热，从而改变晶体管的电流特性，从而达到改变芯片功能的目的。总的来说，FET在改变发热强度的过程中，都可以通过电场效应技术来实现。
由于FET器件的特性，是可以实现简单的元件设计，可以将电场的影响降低，并且可以实现对电荷客体进行有效的控制，从而可以改变发热的强度。而使用FET器件可以在低漏电的情况下，实现更加节能的电路设计，并且可以更加有效的控制发热强度。因此，FET与发热特性之间有着多方面的联系，其中控制发热强度是其最大的能力之一。
综上所述，FET与发热都特别重要，它们之间有着分不开的联系。否则在芯片设计中将很难取得成功，实现功耗的要求，也必须遵循芯片设计要求的实际情况。而FET器件正是实现这一点的重要基础，它能够帮助我们更有效的实现芯片设计。
