一、p 场效应管：概述与结构
1. P 场效应管（P-channel field-effect transistor，PFET）是一种利用电场效应控制电流的半导体器件。与 N 场效应管不同，P 场效应管的多数载流子为空穴，沟道为 P 型半导体。
2. P 场效应管的基本结构与 N 场效应管相似，由源极、漏极、栅极和衬底四个电极组成。源极和漏极之间为沟道，栅极位于沟道上方，衬底与源极相连。
3. 当栅极与源极之间施加正电压时，栅极附近的空穴被吸引，在沟道中形成耗尽层。随着栅极电压的增加，耗尽层扩展，沟道的宽度减小，漏极电流减小。
二、P 场效应管的特性与应用
1. P 场效应管具有以下特性：低功耗、高输入阻抗、宽广的线性范围、优异的开关特性以及较高的耐压能力。
2. P 场效应管广泛应用于各种电子设备中，包括计算机、手机、平板电脑、电视机、汽车电子等。在这些设备中，P 场效应管主要用作开关器件、放大器件、模拟电路元件等。
3. P 场效应管在功率电子领域也得到了广泛的应用，尤其是在高压、大电流的场合。例如，P 场效应管可以用于制造功率放大器、开关电源、逆变器等。
三、电路图纸：符号与表示
1. 电路图纸是表示电路连接和工作原理的图形符号。电路图纸中，P 场效应管通常用一个三角形符号来表示，三角形的顶点为栅极，底边为源极，两侧为漏极。
2. 在电路图纸中，P 场效应管的型号通常标注在符号旁边。型号一般由字母和数字组成，字母表示器件的类型，数字表示器件的规格或特性。
3. 电路图纸中，P 场效应管的连接方式通常用导线来表示。导线用实线或虚线表示，实线表示连接，虚线表示未连接。
4. 电路图纸中，P 场效应管的极性通常用正负号来表示。正号表示电源的正极，负号表示电源的负极。
总之，P 场效应管是一种重要的半导体器件，具有广泛的应用前景。电路图纸是表示电路连接和工作原理的图形符号，在电子设计中起着重要的作用。
