电子元件有advantage和disadvantage，这是最重要的考虑因素。在电子行业中，场效应管（FET）和三极管（BJT）都是广泛使用的电子器件，两者有着各自的特性和区别。以下是关于场效应管与三极管比较参数的一些简单概括。
功耗：在相同的工作条件下，场效应管可以有效地抑制电源的消耗，并且通常开关耗散的能量比三极管低。
电压：场效应管通常低压APPLICABILITY，因而它的使用在3V以内的操作电压范围中非常常见。而三极管需要较高的运作电压，所以它适用于高压应用。
温度：三极管可以处理比场效应管更高的温度，但是如果想要达到更高的温度，则需要较高的电压也就是需要使用更大的材料厚度。
发射：场效应管的发射比三极管要好，这意味着它们可以有效地产生较多的功率。
集电极-发射极漏电流：三极管更胜一筹，在微小的电压时，它们可以比场效应管发射更少的漏电流。
速度：场效应管的速度要比三极管快。因此，它们的延迟，开关损失和上升时间比三极管要小得多。
综上所述，场效应管和三极管具有各自的优缺点，因此，在选择电子元件时，应该考虑其适用的应用程序、条件及必要的性能参数。最终的选择将取决于特定的要求。
