近年来，随着新材料的出现，增强型场效应管（EnFET）的发展越来越快，为我们提供了更高性能的电子器件。相比于传统的场效应管，增强型场效应管具有更大的专利技术空间，更好的动态特性，更直观的功能配置，更可靠的控制能力，以及更低的噪声水平和更低的功耗。
由于增强型场效应管具有如上优点，它在无线射频前端技术，数字电路的高频功率放大器，需要高速开关电平转换的集成电路，模拟数字的系统，光学存储机，上层控制和通信系统中具有应用前景。例如，在流动通信网络中，增强型场效应管可以用来放大射频信号，可以实现调节强度和精确控制传输信号，大大提高通信的可靠性。
此外，增强型场效应管还可以用于许多其他电子应用，如耳机放大器，振荡器，发射器和接收器等，特别是在高精度，智能电子应用中，增强型场效应管可以显著改善系统的性能和可靠性。
总之，增强型场效应管具有许多独特的优势，例如低功耗，低噪声，良好的功能可配置能力以及可靠的操作特性。上述特性使得它在很多不同的应用中显得更加有效，例如，无线射频前端技术，数字电路的高频放大器，高速电平转换集成电路，智能电子产品等，有望开发出更多新型的增强型场效应管。
