n 沟道结型场效应管(MOSFET)是半导体器件的一种，可实现放大器、开关和其他电子应用的功能。该器件由n极和p极分别组成的上部和下部，其中下部的n极有一个成为“沟道”的放电面，可控制氧化物下的正负压差，以调节器件的电性能。与普通双极型场效应管(JFET)相比，MOSFET的内阻更小，耐压更高，功耗改善，操作速度更快，集成电路更方便等优点，新型的MOSFET可以实现耗功率更低、功率消耗更轻、功能性更强等优点。
由于MOSFET的优势，它已成为在许多电子应用中实现电力放大、开关和其他功能的主要元器件之一。在电源供应中，MOSFET可尽量减少耗能，提高输出。因此，MOSFET成为多功能控制器、影音接口、信号处理器和音频系统等中的重要元器件。
此外，在微型电子设备、汽车应用和工业控制等中，MOSFET具有非常广泛的应用。MOSFET具有很强的高频特性，非原件扩大也很清晰，避免了信号抖动和变形，同时具有快速接通的特性，可用于实现速度要求较高的电路系统。
因此，开发新型MOSFET已成为学术界和工业界近几年来一直关注的热点课题。一方面，通过强化MOSFET的物理性能，如减少导通电阻、改善漏电流、降低发射电流，可提高MOSFET系统的工作效率；另一方面，通过开发新型器件如沟道型复合材料的MOSFET，可为多功能控制系统提供更强的电性能。
综上所述，常用的n沟道结型场效应管的研究是当前很多电子应用领域正在关注和研究的重要课题，MOSFET已成为实现电力放大和控制的重要元器件，它的研究也将为人们提供更为节能、高性能、多功能的电子系统提供良好的发展空间。
