场效应管开关（FET）是一种将外部、可变的电场应用到电子元件来实现信号控制和调整的一种开关。它可以使信号以低电流或高电压的方式传输，并可以有效改善电子元件的功率性能，从而形成电路中物理细节的建模。
FET由源极，漏极，控制极和过程介质（晶体管）组成。只有当外部电子电场通过晶体管时，FET才能发挥作用，随着电流流动而改变电压和功率。一般来说，FET拥有更高的工作温度，并且能够将非常小的电流转换为较大的电压，因此，它一般用于构建小巧而灵活的电路。
FET在电子电路中有着多种应用，例如在数字电路中，它能够有效提升信号；在模拟电路中，它能够改善噪声射频；在实体存储器中，能够控制存储器行进的电流；在电视器中，能够实现模拟字符的识别等。
总之，场效应管开关在电子元件中具有越来越重要的作用，它可以实现影响系统功能的电子器件，它能够有效控制电子电路的功率，由此构建出更加可靠灵活的系统架构。
