场效应管(Field-Effect Transistor, FET)仿真是电子设备的分析设计技术，使用场效应管仿真技术可以减少时间和费用。在射频(RF)和微波(microwave)领域，FET仿真已经成为一种重要的发明技术，无论是模拟还是数字电气专业领域，FET仿真都可以提供令人满意的结果。
FET仿真与其他仿真技术有很多优点，其中最重要的是时间和性能经济，这使得其在各个领域应用很广。因此，它可以用于各种仿真建模，以解决制造研究和工程设计的复杂问题。它还可以用于无线电设备及其分析及定位；简而言之，它可以满足从大型机构到小型公司的多种需求。
在FET仿真技术中，有许多种有机半导体微纳米元件是一些最重要的元件，其中绝大多数结构都是几百个亚微米的大小以及复杂的结构形状，计算机模拟可以高效的计算这些微小体系的电学特性，其中尤其是电介质和电容分析。FET仿真技术可以帮助电子设备设计者从电气特性的整体上知道这些微小体系中最重要的参数特性。
当前，FET仿真技术发展迅速，不仅应用于研究和设计电子元件，而且也可以用来设计新型场效应管和元件，以提供更高的电气性能。许多发明者都利用FET仿真技术来实现更高要求电子设备的分析和设计，这是电子领域内重要的创新技术。
可以看出，场效应管仿真技术是电子设备分析和设计的重要技术，它可以提供非常有价值的参数特性，以提高产品性能和可靠性。它可以有效地提高工程设计和模型的质量，并带来更大的技术进步。
