场效应管（FET）又被称为可控管，是一种半导体晶体管，它根据输入电场而发挥功能，故而获得了场效应管的称号。管子的宽长比是衡量质量的一个技术参数，它关乎着电子设备的性能和可靠性。
管子的宽长比取决于晶体厚度和宽度的比例，其计算公式为：LP/LW=tanθ，其中LP代表晶体的厚度，LW代表晶体的宽度，θ代表端壁的夹角，在普通的MOSFET中，夹角通常为七十度。只有宽长比恒定的晶体才能在频率和电容上具有良好的特性，箔片和短叶层厚度的略微变化也会影响到管子的宽长比，因而会影响场效应管的性能。
场效应管的宽长比常常是管子分析的重要因素，由于它的参数既无法测量也无法控制，在实际使用中，宽长比的误差对可控管的性能会产生不利影响，所以宽长比的控制是保证机电一体化产品质量和稳定性的重要技术措施，宽长比误差的减少对管子的性能也是有利的。
总而言之，场效应管的宽长比是一个十分重要的技术参数，宽长比越小说明电子设备的性能越好。未来，我们期待宽长比技术可以取得更大的进步，从而使可控管的性能得到进一步提升。
『场效应管性能提升之宽长比研究』
