N场效应管（MESFET）称之为新一代的外延型晶体管，担负着重要的工艺技术地位。这类信号处理芯片其特性灵活、性能优异且体积小，在多种技术领域被广泛应用，比如电液控制系统、数据处理系统、移动通信系统等。
N场效应管的导通条件是其工作的必要前提。当S结和D结到G结连接时，若G结具有足够的正压偏压，可导致S结和D结之间发生饱和通过。被称之为极化放大极限（PAL）状态。当控制电压Vg达到N场效应管极化电压的最小值时，称为导通条件On的极限。该值典型地约为1.2伏，直流阻抗可达到最小值。
N场效应管分为三种状态，即饱和放大状态（SAT）、非饱和放大状态（UNSAT）和饱和非放大状态（SS）。当正偏压电压Vg保持在0.6～2.5伏之间时，N场效应管即保持在UNSAT/SS状态；当Vg 的幅度超过该值，N场效应管则进入PAL状态。可见，在其工作电压Vd条件下，N场效应管的正偏压电压Vg的选取直接影响其工作状态，所以正确的导通条件On是N场效应管正常工作的关键。
N场效应管的发展为更强的信号处理性能提供了基础，以及更大的抗干扰能力，而正确的On导通条件则是其正常工作的前提。在设计实际应用的时候，不仅要考虑正偏压、工作电压和热特性的影响，还要合理的选取正偏压电压，以保证N场效应管工作在理想状态。
『N场效应管的导通条件有何要求？』
