场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种由晶体管制成的器件，它利用两个端子（源极端子和偏流端子）之间的电场来控制电流的通过。它的工作原理是：将一个半导体层抵消晶体管的影响，使得在晶体管的影响范围之外，可以在晶体管入口和出口处产生一个电场，而电场的大小取决于源极端子和偏流端子之间的电位差，电位差又受偏流端子的电流大小影响。当偏流端子处的电流增大时，电场的大小也会增大，产生一种入口处的正向阻抗，从而限制电流的传输，出口的电流也会相应的减小；反之，当偏流端子处的电流减小时，电场的大小也会减小，入口处产生的正向阻抗会减小，从而使出口的电流增大。
为了实现电荷的流动，FET器件需要电极的输入和输出，以便将电极处的电流流向另一端。FET也需要一个通过叫Gate的特殊电极与Source端子相连，来输入一个控制电场的信号（也可以叫做偏流控制信号），从而控制FET的导通状态，对于电流的流动造成限制。
FET由于其 特殊的工作原理，已经成为电力电子学中非常重要的元件。它因其大功率，低噪声，以及低功耗等优势占据了市场的主要位置，应用广泛分布于无线通信，移动通信，能源管理，航空航天等领域。
以上就是场效应管工作原理的简要介绍，通过晶体管入口和出口处产生的电场，使得电荷得以流动，实现信号放大和复杂电路控制，起着非常重要的作用，在电子技术领域中也具有非常高的价值。
