场效应管(Field-Effect Transistor，简称FET)开关电路是一种利用晶体管实现的电路，通过控制输入电压而控制输出电流。它具有低电阻、双极性、高灵敏度、低输出漂移、宽温度补偿范围等特点，广泛应用于军事、医疗、化学计量等多种领域。
场效应管开关电路的原理是基于晶体管的电流控制来实现的，它的主要组成部件是外延场效应管(Enhancement-Mode Field-Effect Transistor，简称E-FET)、内发射场效应管(Depletion-Mode Field-Effect Transistor，简称D-FET)和电流源。E-FET和电流源构成一个电压型功率开关电路，D-FET正逆变构成一个电流型功率开关电路。这两个开关电路相连，借助电流控制，当输入电压发生变化，晶体管就会被控制，从而控制电路的输出。
在实际应用中，由于场效应管开关电路的低电阻、双极性、高灵敏度、低输出漂移和宽温度补偿范围的优点，它被广泛用于家用电器、化学计量、军事系统以及医疗等领域，并取得了一定的科学成果。此外，由于晶体管本身的特性，它在保持电路安全性时也不失为一种理想的设备。
总之，场效应管开关电路，不仅可用于大规模集成电路的数量控制，还可用于多种领域的科学研究、日常用电和安全性保障，极大地丰富了电子设备的功能和性能，为社会和工业的快速发展做出了贡献。
