P沟道场效应管（PDT）导通条件是传输器件的基本特性之一，它控制了一种器件的运行特性。它是一个电容阻抗器芯片中的特殊系统，主要用于控制电容直接通过电路的超高速或高保真应用。在通过PDT系统控制电容的情况下，必须满足若干通过条件，使得功耗尽可能减小，并使输出效果更好。
首先，检查设备的介质阻抗，它的变化范围一般在1Ω左右。如果设备介质阻抗不在此范围内，则无法保证信号转换正常，转换信号可能会受到影响。其次，检查系统的PDT控制信号，它必须低于PDT最大光阻抗。此外，还必须满足PDT芯片的电容与CT开关芯片的电容之间的电容阻抗差，它必须小于PDT的最大允许阻抗差。最后，检查CT芯片输出信号，保证它们能够正常输出允许的电流或电压范围。
总之，PDT的导通条件是传输器件的基本特性之一，涉及到PDT芯片的光阻抗，控制信号和电容的阻抗差，以及CT芯片的输出范围等因素。只有在所有条件都满足的情况下，才能确保PDT的有效运作，同时使电容得到充分利用，从而发挥最大的效率。
