沟道场效应管，属于一类由多个接点构成的复杂微结构，是在典型的沟道结构中引入场效应晶体管（FET）导通条件。这种结构的优点在于，可以实现较大沟道电流、高冻结率、低漏泄电流和受控功率耗散。因此，目前越来越多研究都将精力投入于探究有关沟道场效应管导通条件的这一固有关系，以获得更高的抗干扰能力和可靠性。
关于沟道场效应管导通条件的研究，近期已经取得了显著进展。主要研究工作包括了设计沟道结构和硅技术工艺参数的选择以及优化，以便获得更好的结果。研究结果显示，当沟道宽度约为10 ㎚时，沟道电流的最大功率密度约为50 ㎽/㎠；提高沟道封装场中间层的封装厚度可以显著提高放大器的高频性能；在沟道上增加一层薄的开放场场效应管（OFET）可以降低沟道电容并增加放大器的增益。
此外，通过研究有关抗干扰能力的实验结果，对放大器的抗干扰能力也作出了较好的评估，以求获得更好的稳定和可靠性。研究表明，采用沟道开环放大器形式，可以在较大的开环放大量程范围（大约为电流10mA 左右）内有效地改善抗干扰能力。
综上所述，针对沟道场效应管导通条件的研究获得了很多积极成果，而且此领域的研究将继续展开。它将有助于更好地利用功率产品的能力，提高沟道场效应管器件的性能，改善设备的抗干扰能力等，为设备成功应用打下坚实的基础。
