场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种半导体器件，由于其具有低噪声、低功耗、高频特性等优异特征，而广泛应用于高『性能』系统中，而4n65系列（N-Channel JFET）便是其中的一种。
4n65 FET系列特点：
1、封装形式简单：TO-92小型封装，具有结构紧凑的优点。
2、高开关速度：具有高开关速度特性，频率特性非常好，是高频电路的首选元件。
3、具有低功耗特性：具有低功耗和低噪声特性，使其成为工业操作电路的理想元件。
4、低电压驱动：驱动电压要求较低，组成的放大电路更加灵活。
4n65 FET具体参数：其最大动态电阻值（Rdson）为0.13Ω，最大连续表面电流（Id）20mA，最大勾芒（Ptot）200mW，温度范围（Tj）-55℃~150℃。
4n65 FET能够广泛应用于系统芯片、电源模块、数据传输等多种技术领域，其低噪声、低功耗、低动态电阻值等各项性能表现，使其在不同应用中都有着极好的表现。
本文通过对4n65 FET的参数的了解，不难看出，该系列器件的特征，使其成为各种应用场合的理想元件。本文所涉及的相关知识，希望能够对您在器件选型方面有所帮助。
