场效应管4n65参数探讨
场效应管4N65是一种具有优秀性能和体积小、重量轻的器件，常用于节省功耗、减小空间体积、在电源线上抑制干扰等方面。它的具体参数如下：电压：2V-36V；电流：1mA-1480mA；温度：-55°C~+150°C；功耗：低于100mW；耐压：
场效应管4N65的具体参数
场效应管4N65是一种低功耗管，具有多种特性，并且可以满足各种不同的应用需求。4N65的型号的，主要数据说明如下：•额定电压：60V； •额定电流：5A； •额定功率：150 W； •静态电流：10mA； •开关时间：1µS； •反向漏流：
场效应管4n65参数的概述
场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种半导体器件，由于其具有低噪声、低功耗、高频特性等优异特征，而广泛应用于高『性能』系统中，而4n65系列（N-Channel JFET）便是其中的一种。4n65 FE
场效应管4n65性能参数
场效应管4n65，是一款拥有高性能的场效应管，正因其性能优异，受到了广大用户的喜爱。下面，就为大家介绍一下它的具体性能参数吧！首先，场效应管4n65噪声指标良好，其噪声峰值为35dB以下，可以确保恒流发生器性能稳定性高，噪声得到很好的抑制。
场效应管4n65参数分析
场效应管4n65是一种集电极效应技术和电压驱动于一体的双功能型集成电路，广泛应用于芯片技术领域。它具有结构简单、功能强大、性能稳定的特点，能够高效地实现电压或电流模拟调节，可以精确控制电流、电压。场效应管4n65具体参数主要包括以下几类：1
深入了解场效应管4n65的具体参数
场效应管（Field Effect Transistor）以及它的变体也被称为FET，是基于晶体管的半导体电子器件。它用于从输入端经晶体管放大器到输出端，从而实现功率放大以及信号处理的电子电路，FET4n65是一种N型（非门晶体管）FET。
场效应管4n65具体参数
场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种电子器件，具体来说，4N65是一种集成电路，可运用于电子控制和通信电路的保护和运行。它的参数比较复杂，但最重要的数据有：绝缘电阻IR：>1010Ω;结到源极的少路导