场效应晶体管作为一种通用的放大器，用于放大小信号，是微电子技术的基础。由于它的广泛应用，场效应晶体管的性能也日臻完善，不仅性能优越，而且噪声也有了较大的改善。本文将重点分析场效应晶体管的噪声特性。
场效应晶体管的噪声由两部分组成，有外部噪声和内部噪声。外部噪声主要由传统的温度分布和周围杂散电磁噪声造成。内部噪声则是由于晶体管的放大本身产生的噪声，也可能受到杂散温度和杂散电磁场的影响。
晶体管噪声大致可分为带通噪声、漫射噪声和偏壁噪声。带通噪声是指通过晶体管边缘对测试信号的加压而产生的噪声，主要表现为一种类似低频的啸叫般的噪声。漫射噪声则是由于辐射噪声对测试信号的衰减而产生的，主要表现为一种类似一般杂散干扰的低频噪声。偏壁噪声主要是由于辐射噪声，晶体管的不匹配以及元件的衰减等对测试信号的影响而产生的，主要表现为一种类似传统杂散噪声的高频噪声。
从以上可以看出，场效应晶体管噪声的来源是多方面的，性能也是个复杂的指标。通过合理的工艺结合稳定的材料，可以有效的改善晶体管噪声性能。只有彻底掌握这种性能特征，才能真正提高晶体管的工作效率，根本改善工程技术水平。
