场效应管（Field Effect Transistor）又称作为场效应晶体管，是一种利用场效应作用原理的三端管器件，是一种能对电压具有敏感度的器件。场效应管是以半导体材料组成的集成电路，主要由源极、漏极、管底三部分组成，管底的形状有圆形的和方形的。它具有较小体积、较大动态范围、较强的静电损耗、较低的电子噪声和较高的可靠性等优点，因而特别受欢迎，应用到电子元器件和电子线路中。
答案：『场效应管是晶体管吗？』
答案是否定的，场效应管和晶体管有着不同的原理和结构，虽然都属于三端管器件，但场效应管是利用场效应作用，而晶体管则是利用发射现象。并且，晶体管由三个可编程极（即收发极）和一个管底组成，而场效应管由源极、漏极和管底组成。
