场效应管（ Field Effect Transistor， FET）与晶体管（Transistor）往往被混淆，它们的构造和工作原理完全不同，但它们都是半导体技术的重要部分。场效应管是一种无源器件，只靠负载电路的改变来改变导通状态，它实际上是一个晶体管可控的开关。它主要由源头极、漏极、极和沟道（Gate）组成，而晶体管则是由两个放射子组成。
在FET中，沟道电场的强度通常非常弱，只有在非常弱的电场作用下才能起作用，从而控制FET的导通程度。然而，晶体管的放射子可以通过强大的电场作用来控制开关的开启情况。因此，在结构上和工作原理上，场效应管和晶体管是完全不同的，场效应管不是晶体管。
FET有许多优点，包括功耗小、放大程度高、无源控制和稳定性好等，可以应用于放大器、滤波器、低频振荡器、电平转换器等，是一种优秀的模拟电路元件。同时，晶体管是一种开关元件，它可用于控制开关以及大多数逻辑电路，是半导体技术的重要部分。
总之，晶体管和场效应管都是半导体技术里的重要部分，它们在结构上和工作原理上有着明显的差别，场效应管不是晶体管。
