绝缘栅型场效应晶体管（MOSFET，Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）是以金属氧化物晶体管（MOSC）为基础，加入导通性绝缘机制的三端晶体管，它是最广泛使用、最成熟的半导体电子元件之一，替换传统电子元件的新科技。
MOSFET由一个金属-绝缘-氧化物-金属（MOS）结构组成，绝缘栅栏负责控制电子流动。这种结构使MOSFET拥有低噪声特性和最低的功耗特性，任何有源和无源MOSFET都可以安装在一个双金属叠片上，因此可以更大幅度地减少系统尺寸。MOSFET还具有运算速度快、体积小、负载电流高等诸多优势，广泛应用于高频射频电路、高速逻辑电路和模拟电路等领域中。
MOSFET的另一个显著特点是功耗小，因为内部操作功耗主要取决于电路的负载性能，然后将功耗与电路的灵活性及可扩展性完美结合起来，可以大大减轻电源容量的成本。
MOSFET芯片的功耗要远小于晶体管，拥有更稳定的性能、运行的温度范围更大、大功率应用更为灵活、对数字逻辑系统更适应等优势，可以实现卓越的控制和节能效果。
总之，绝缘栅型场效应晶体管作为新型的半导体元件，具有芯片体积小、功耗低、抗干扰能力强、体积小、功耗低、抗干扰能力强等特点，因而受到越来越多的应用，可作为晶体管传统元件得到替换。
