光电二极管正向电阻是二极管中最典型的特性，它表现在电极线性区内，决定了二极管的工作模式及发挥功能的能力。因此，对光电二极管正向电阻这一特性进行分析，对于二极管的设计、优化及其相关应用技术的研发都具有重要性。
一般来说，光电二极管正向电阻值的大小与它的结构及工作模式有关，其可由芯片结构上的参数来决定。它对于半导体发光二极管具有特殊的重要性，因为它能够控制二极管的电流特性以及恒定电流工作模式，关系到二极管的输出能力及效率。在芯片性能优化过程中，针对光电二极管正向电阻这一属性，研发者应加以针对性的分析和研究。
正常情况下，光电二极管正向电阻的大小之间存在着一定的比较规律，其大小主要受可见光及温度的影响。研究者可以根据此规律对二极管的结构及结构参数作出对应的修正，以达到最佳的正向电阻值。另外，为了减少二极管各种特性的变化对它的影响，还可以按需做出一定的工艺改造，以提高光电二极管正向电阻的稳定性。
总之，对于光电二极管正向电阻这个特性的研究，对于提高二极管的效能和精确度具有重要意义，因此，研发半导体发光二极管的芯片，有必要特别关注正向电阻这一重要参数。
