场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种半导体器件，非常重要且应用多样，因此怎样判断场效应管的好坏是很重要的事情。
首先要了解场效应管的使用参数。例如关于漏失电流截止（LSS），以及晶体管接收机电路在静态电流之间的特性，这些参数决定了晶体管一般性能的优劣。
其次要关注场效应管的规格。规格比如电压、噪声和其他特性一定要与你想要的效果相符合，这是你最终判断场效应管的有效标准。
此外，噪声是判断场效应管好坏的重要指标。一般来讲，场效应管运行，其噪声不应过高，一般会介于30nV/ √ Hz和1μV/ √ Hz之间。
还要查看场效应管的外观。外型一定要协调，器件完好，线路排列规范，除非你仅仅是回收可用部件而不是判断器件的质量，否则在比较外壳的时候，一般建议应注意外形是正面与反面。
总的来说，判断场效应管的好坏，除了要关注使用参数、规格、噪声以及外观外，还要根据实际情况，如果能进行实验测试就更好了。此外，如果是采购，要关注供应商的资质等可进行参考。
