场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是电子学中重要的一类电子器件，与晶体管（Bipolar Junction Transistor，简称BJT）相比，场效应管在特性表现上具有高速度、低电压、低噪声、高精度等优点，延迟时间短，抗电磁干扰能力强，具有很多晶体管无法替代的优势。
要明确地指出，场效应管和晶体管是不同类型的电子器件。它们之间的基本区别由它们的结构特性决定。场效应管是一种半导体器件，其场效应区域由极化氧化物膜结构构成，这种结构在介质之间具有“极化”（Polarization）效果。而晶体管有两个器件，由p型、n型半导体材料或混合材料原料构成。
在应用上，场效应管与晶体管有不同的环境专长。场效应管广泛用于现在的电子设备，几乎用于所有的放大、控制和信号处理的场合，可以用在容量放大器上，监视、控制辅助设备，电源过滤条件和开关，以及可以任意映射和重新编码的智能数字系统。而晶体管更多用于放大和信号应用，而在时间和带宽许多应用，晶体管已经不具有优势，需要利用其它器件来取代它。
总之，两者的基础特性是有所不同的，场效应管和晶体管只是来自同一个电子家族，但是，它们并不是同一种器件。
