场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种半导体器件，因为它的特殊结构，与普通的晶体管不同，可以利用静电场作为控制信号，可以在很小的电压差变化中控制大量的电流，而且功耗低，电容效应小，频率特性好，具有普通晶体管的很多优点。
共漏放大电路（Common-Source Amplifier）是一种由场效应管和一个负反馈回路组成的基本的电路结构，可实现放大，其中，场效应管的漏极电流在衔接的管子上共用。优点是出现很多短路，可以大大提供放大能力，输出阻抗低，抑制失真，但是，谐振现象比较严重，扩大系数和带宽有关。
场效应管共漏放大电路（Common Source Amplifier）起源于20世纪50年代，其原理是把输入电压放大到输出端，这是一种基本的放大电路。它的工作电压范围大，有05V到15V，扩大系数也可达到50dB、60dB以上，整体噪声只有3mV以下，且体积小，成本低，工作稳定，因此，这种电路得到了广泛的应用。
在实际应用中，场效应管共漏放大电路用于微波通信、无线电接收设备、音响放大器、脉冲编码器、信号处理等领域，是一种非常广泛的多功能电路。
综上所述，场效应管共漏放大电路是一种丰富的电路结构，具有较大的放大能力、低噪声、高效率、体积小等特点。同时它有着广泛的应用，在很多器件领域都起着重要的作用，可用来满足多种技术需求。
『场效应管共漏放大电路的应用与特性』
