场效应管代换原则（Field Effect Transistor Substitution Principle，FETSP）是一种分析和设计电子元件的有效方法，其主要内容是：当发生参数变化时，一种器件中存在的效应可以替代另一种器件中的效应。
FETSP的原理源于晶体管（transistor）和场效应管（field effect transistor，FET）之间的特性对比，以及它们用于管路的可替代性。以集成电路（integrated circuit，IC）为基础，FETSP主要包括了起电路模型、分析、设计等四个主要方面。
其实，基于FETSP的工程设计技术就是将电子元件特性和管路可替代性联合起来，采用某种条件作为控制因素，不断迭代来替换电路中的器件，以满足不同的工程需求，即以某个管路条件对应的参数替代另一个管路中同类型的参数，故称FETSP。
此外，FETSP的本质就是器件参数替代。它替换器件的主要原因是效率的提高和成本的降低。它的主要特点是可以合理地改变现有电路的参数以获得性能改善，即优化电路的性能和能耗。
因此，总的来看，FETSP实质上是一种分析和设计电子元件的有效方法，结合了晶体管、场效应管的特性对比，以及它们用于管路的可替代性，通过控制参数变化，合理替换现有电路中的器件，以改善电路性能及能效。
