场效应管(Field-Effect Transistor，FET)是一种晶体管，它通过调节极区的电场强度来调控电流的门控。由于它的门控特性，FET是电子电路中最常使用的晶体管，在许多电子电路中，不可缺少的元件。
检测场效应管有很多方法，不同的环节有不同的检测方法。其中，最常用的检测方法是电气参数测试。该方法包括集电极饱和电流测试、发射极饱和电流测试和发射极饱和电流夹角测试，以检测FET的门源极和极区的电流和电压值走势，根据诸如此类的电气特性可以判断FET的正常工作情况。
此外，在实际生产过程中，还常常需要一些专门的设备来对FET进行综合测试，以准确地检测场效应管的工作性能。这些设备包括专用仪器，用于自动测试和检查FET在极区最大偏移电流、射极封闭电流和集电极漏电流以及其他参数，以及检查器件是否有正常工作等。
除此之外，为了更好地检测场效应管，还可以通过温度因子测试和噪声测试来检查FET的性能。在温度因子测试中，需要测试FET的电特性参数，例如发射极封闭电流、射极饱和电流以及转换比，随不同的温度变化情况来判断FET的稳定性，检查器件是否存在故障等。而噪声测试中，需要测量FET的噪声参数，根据测得的噪声参数在不同时间段内的变化幅度来检查FET的正常工作。
总之，要检测场效应管，可以采用电气参数测试、温度因子测试以及噪声测试等多种方法，以此来选择质量较好的FET，使FET在电子电路中更加稳定可靠。
