场效应管（Field Effect Transistor，FET）代换原则正在作为未来电子电路中出现频繁的一种新的思想。它可以取代传统的晶体管，提供极大的优势，可以更好地满足电子电路的要求。在电子电路设计中，晶体管已成为一种过时的部件，FET才是有效的选择。
场效应管的最优点是其节点门延迟，和晶体管相比，它的延迟要低得多，这使得高速电路的设计明显更好。此外，它还有其他多种优点，如低噪声，低功耗，优越的输出阻抗，以及极低的发射系数等等，这些都是传统晶体管所没有的。
更重要的是，场效应管为电子电路带来了全新的设计理念，我们可以在更小的空间内实现更佳的布线和功效，而不用担心此前传统晶体管在高频应用中得出的设计边际效应。
因此，可以明显地看到，在未来的设计中，场效应管会以极高的性能替代传统的晶体管，大大提升电子电路的应用性与效果。
