igbt场效应管是一种半导体器件，是一种由半导体结构组成的反向可控电晶体管，也称之为MOSFET-IGBT晶体管。它是一种MOSFET-栅极启放管的组合，可以在半导体制造过程中采用工艺将它们结合起来。这样可以使其具有极高的功率效能，使其能够进行有效的功率放大。
IGBT场效应管能够进行有效的功率放大，这是其与普通MOSFET晶体管的根本区别，IGBT场效应管的功率效能更高，在低电压应用领域能提供更高的功率转换效率，使它成为电动汽车、家庭空调和冷藏设备等功率?；ど氩欤唤稳?。在很大程度上，它的结构也比传统的晶体管要轻。
此外，IGBT场效应管还可以应用于功率传递设备、负载开关以及电力调节系统等，为电力电子的应用提供更多的功率放大选择。IGBT场效应管晶体管的轻量化也使其在重视电源节省和控制能耗的环境中成为被更多地重视和选择的产品。
可以说，IGBT场效应管是一种强大的功率放大器，它能够有效地处理各种高功率负载，在家庭用电和工业应用领域都有广泛的应用，因此，它已被越来越多的机构、企业和技术人员所重视和推广。
