场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种半导体电子器件，它的原理类似于普通的晶体管，但有更多特性优势。场效应管可以由三个端子控制：源，漏，和控制，其中控制端又可分为两种极化：N型外层加偏，P型外层减偏，非常灵活。在固定的偏压下，添加电流到极化的控制端，并通过改变控制电流的偏置来调节漏的流入电流，这种特性叫做场效应管特性。
场效应管特性主要由它的几何形状决定，这也决定了它的控制特性。在某种几何形状的场效应管中，穿过控制端的电流密度会分布均匀，它会产生场，场会呈现出一个由电流密度比例变化而成的体积电位，而漏和源端上的电子将会响应调整，从而形成封闭电路，控制电流起着重要作用。
此外，场效应管还具有一些其他关键性能，它拥有很大的增益、分辨率和动态范围，而且还具有节能和紧凑结构的特点，因此它已成为消费类电子设备的核心元件。在单元器件中，场效应管的电源与晶体管相比更加小巧，而整个电路的布局也更加紧凑，使得栅极控制能力更强，灵活性更高。
总而言之，场效应管在信号处理中发挥了重要作用，它不仅具有良好的增益特性，还具有节能和紧凑结构的优势。它的特性使它成为绝大多数消费类电子设备的核心元件，在单元控制中拥有广泛的应用前景。
