场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种半导体器件，其特征在于它可以对输入信号进行放大或处理。它是由将晶体管和晶体管相关回路相结合的电路构成的。由于FET只在输入端产生噪声，它们成为构建噪声小的电路的理想选择。
FET噪声有许多不同的表现形式，其最常见的形式是场效应管噪声，也称为1/f噪声或调制噪声。该模式是由受过调制的分支稳定状态的噪声形式，他们由较低的频率控制，从而可以抑制高频噪声的影响。
此外，场效应管噪声还会由不同的非线性过程产生，如失真等。噪声是由热模态校正、生成噪声、热模态电子、过热电流消耗噪声、反馈噪声以及分极特性模式（例如死点）产生的，这些噪声会影响系统的可靠性和性能。
各种技术手段可以用来抑制FET噪声，从而提高系统的可靠性和性能。这些技术通常以降低晶体管的静态和动态特性，以及应用热模型校正和低晶体管电性补偿来实现。最后，另外一些技术可以用来消除电路内部的1/f噪声，从而增强系统的噪声性能。
通过实施各种技术来抑制FET噪声，可有效改善系统可靠性和性能，从而提升系统效率。这些技术也可以用来改善系统的稳定性，从而更好地控制噪声。在构建复杂的系统时，它们也可以提供显著的改进，仅仅要求很低的系统集成和控制成本。
summarize：FET噪声是很常见的晶体管噪声，其最常见的形式为场效应管噪声，可以通过不同的技术方法来降低FET噪声，提升系统的可靠性和性能。
