场效应管（Field Effect Transistor ，FET）是一种可用作放大器、开关及滤波器等电子器件的三极管功能器件，是高性能、稳定、可靠性好的直流电路实现功能的主要利器。目前，由于半导体 的不断发展，已在一些业内应用广泛，如食品库存控制用FET来控制库存存量，电气网络中，缓冲以及检测功能，还有FET已经广泛用于测量技术中。
然而，由于FET在放大时产生的热能和内部漏电流特性，使它不仅需要严格的温度控制，还需要高效的温度增散技术。因此，为了确保FET的正常工作，除了控制温度外，还需要对场效应管进行有效的散热设计。
内部FET放大器晶体管（IC）温度可以通过在连接管的底部铺设优质的导热材料来降低，使温度能够更快地散发到空气中，这样就能够缓解系统的散热压力。另外，可以采用对比较大的夹子进行连接，这样可以有效地将温度传递到空气中，同时，也能够将小的温度对系统进行控制，减少可能出现的热效应带来的损害。
此外，FET还可以采用自然对流的方式来消除热能，即使用内部管芯上的热电偶实时测量温度及上述热传递系
