场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种半导体元件，由源（source）、漏（drain）、栅（gate）三个部分组成，是一种非常重要的器件。场效应管采用排列方式对元件的性能会有显著的影响，因此排列是一个非常重要的步骤。
排列场效应管时，一般有一种叫做 N 型场效应管（N-channel FET）和 P型场效应管（P-channel FET），一般都是先排列 P型场效应管，再排列 N 型场效应管。对于排列多个 FET 时，则要把多个 FET 并联。在 FET 选型中，根据负载电流，选择用 N 型或者 P 型，其实就是进行多种组合排列，根据控制电路需求，互补进行排列，以获得兼容性及可靠性的最佳选择。
排列场效应管的步骤是：根据控制电路需求选择场效应管类型；根据其功能特性设计控制电路，并配有电阻与电容；设计好之后，就要进行排列实验，以确定正确的排列方式，验证电路的稳定性，减少失效率，提高可靠性。
综上所述，排列场效应管非常重要，它可以有效的提高电路稳定性和可靠性。只有把场效应管正确排列，才能发挥出其最佳的性能，达到预期效果。
