IGBT，全称是集成场效应管（Integrated Gate-Bosst Transistor），是一种结构和性能较高的场效应管（FET），它具有能够控制较大电压和电流比例的特点，广泛应用于高压、高性能的集成电路设计中。
而场效应管，是由芯片中的晶体管（transistor）组成的电子元器件，具有某些特定的特性，诸如极低的电容、较小的封装尺寸、较强的电参数可调节性等，因此在集成电路中很常见。
IGBT和场效应管的差异在于它们之间的特征参数和功能定义。IGBT将晶体管的三个击穿（turn on）参数所包含的半导体特性与集成电路技术相结合，使具有开关参数的 N 结管击穿后，能够产生较大的深度，从而使控制较大电压和电流比例变得更容易，具有低电压差、电平抖动小、稳定性好等优势，因此有较好的应用前景，可以在高压集成电路中被广泛应用。
在设计中，基于IGBT的优势，常常被用来替代普通的场效应管，被当作“简单地开关控制器”或者“限制开关控制器”，用以控制电压和功率。另外，此外IGBT还可以用于高压和大电流的驱动控制，比如电机驱动、电压斩波、固定配置方式等等，因此IGBT在高功率控制领域有很好的表现。
总之，IGBT与场效应管虽然都是主要的晶体管结构，但由于它们在结构上以及功能特性上的差异，在设计应用程序时，IGBT和场效应管用来达到不同的功能。
