场效应管（Field-Effect Transistor，FET）是一类基于介质老化效应的三极管。在某特定温度范围内，拉丝它两个端部，通过跨越芯介质中隙控制电表场，使二极管实现可控制的导通状态，从而具备放大阻抗和改变形状的功能。因此，FET成为功率放大器、无源网络电路，甚至视频前置放大器等许多电子系统的组件。
场效应管的型号分类有MOSFET管、JFET管、器件管和HEXFET管，它们具有不同的优点和缺点。MOSFET管是一种最简单也是最广泛应用的场效应管，具有更高的稳定性，还具有微小的漏电流特性。JFET管具有超低的噪声系数，可用于电子放大的环境，而器件管由于具有低噪声抑制、高频表现、低关联参数、低反应延迟及低功耗特点，所以得到了应用。
HEXFET管是一种高性能场效应管，具有更低的发射器耗散和蓝噪声抑制的优势，可以在高功率电路系统的应用中提供更优异的表现。
总结而言，选择一种FET型号，需要根据所需要实现的功能，选择最佳参数的型号，以保证电子系统能够获得最佳效果。
